产品规格: | ALD原子层沉积镀膜 | 产品数量: | 1.00 台 |
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包装说明: | 整机、出库清单,保修卡,使用说明书 | 价格说明: | 不限 |
查看人数: | 741 人 | 本页链接: | https://info.b2b168.com/s168-180624919.html |
型号: | PS-ALD-01 | 颜色: | 定制 |
尺寸: | 800*800 | 产品别名: | ALD沉积镀膜设备 |
材质: | 金属 | 用途: | 半导体、电池、可沉积氧化物:HfO2,AL2O3,TIO2,SIO2,氮化镓等 |
品牌: | Pans磐石 |
原子层沉积技术以精准控制薄膜层厚度,均匀性,保型性而著称,广泛应用于集成电路(IC)行业,它使得电子器件持续微型化成为可能,逐渐成为了微电子器件制造,半导体领域的必要技术。例如用于制备晶体管栅堆垛、刻蚀终止层。磐石创新研制的原子层沉积系统,可容纳4英寸基片沉积,优化的辐射加热系统,使温度均匀性高达99%,气流优化设计结合前驱体瓶加热,管路加热,实现在4英寸基体上膜厚的不均匀性小于1%。
可以根据客户特殊工艺要求定制加工,配置升级。
紧凑型原子层沉积系统,系统为全自动的安全互锁设计,并提供了强大的灵活性,可以用于沉积多种薄膜。(可沉积氧的化物: HfO2, Al2O3, TiO2, SiO2, ZnO, Ta2O等;氮化物:TiN,Si3N4等;)
应用领域包含半导体、光伏、MEMS等。带有加热腔壁及屏蔽层,非常方便腔体的清洁。该系统拥有一个载气舱包含4个50ml的加热源,用于前驱体以及反应物,同时带有N2作为运载气体的快脉冲加热传输阀。
ALD原子层沉积设备特点
·不均匀性低于1%;
·阳极氧化铝腔体;
·小反应腔体容积确保快速的循环时间并提高质量;
·较大可支持4英寸的基片;
·较多支持4路50cc/100cc前驱体源;
·高深宽比结构的保形生长。
技术参数
设备尺寸:800X800X495mm | |
4英寸及以下兼容基片 | |
3D 复杂表面衬底 | |
多孔,通孔,高深宽比(HAR)样品 | |
样品加热50-260℃,精度±1℃ | |
前驱体及管路:液态、固态、气态,加热温度室温~180℃ | |
标准设备验收标准为 Al2O3 工艺 |