合肥QBH铠装管厂 抗疲劳性能高

深圳市中杰光电科技有限公司

近年来，牛智川研究员带领的研究团队在973重大科学研究计划、自然科学基金委重大项目及项目等的支持下，深入研究了锑化物半导体的材料基础物理、异质结低维材料外延生长和光电器件的制备技术等，系统性掌握了锑化物**阱、**晶格低维材料物理特性理论分析和分子束外延生长方法，在突破了锑化物**阱激光器的刻蚀与钝化等核心工艺技术基础上，创新设计金属光栅侧向耦合分布反馈（LC－DFB）结构成功实现了2μm波段高性能单模激光器，边模抑制比达到53dB是目前同类器件的高值，同时输出功率达到40mW是目前同类器件的3倍以上。相关成果在Appl．Phys．Lett．114，021102（2019）发表后立刻被国际《化合物半导体，Compound Semiconductor 2019年*2期》长篇报道，指出：“该单模激光器开创性提升边模抑制比，为天基卫星载LIDAR系统和气体检测系统提供了有竞争力的光源器件”。

他们的研究成果发表在《Nature Photonics》上。

中国科学院合肥物质科学研究院物理与技术中心激光技术研究室研究员江海河课题组在2.79μm调Q激光器方面取得新进展。

对于使用该设备探索基础**物理学有着大兴趣的Mishkat Bhattacharya教授表示：“我们非常高兴能看到这种设备的各种新用途，特别是对于传感和信息处理而言，因为光学激光器具备众多应用，并且还在不断发展。”