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使用高电压设备制造multi-epitaxial平面技术高切换速度和中压能力。它使用一个空心发射较结构来提高切换速度。低扩散的动态参数高电压的能力较小lot-to-lot传播可靠运行很高的开关速度符号参数值单位VCEV Collector-emitter电压700 V(VBE = -1.5 V)VCEO Collector-emitter电压400 V(IB = 0)VEBO Emitter-base电压12 V(IC = 0)IC 12集电极电流ICM收集器峰值电流(tP < 5 ms)246 IB基较电流IBM基地峰值电流(tP < 5 ms)12在Tc Ptot总耗散= 25°C 125 W测试存储温度-65 - 150°CTJ Max。操作结温150°C表3。热数据符号参数值单位Rthj-case热阻junction-case ____M __mMax 1°C / W意见与反馈翻译结果评分： 参加有道翻译用户满意度调查！

TIP35CW该设备是一个硅外延基较NPN型晶体管安装在- 247塑料包。它是intentend用于功率放大器和切换应用程序。TIP36CW互补PNP型 Table 1. Absolute Maximum Rating Note: For PNP types voltage and current values are negative.
Table 2. Thermal DataSymbol Parameter Value UnitNPN TIP35CWPNP TIP36CWVCBO Collector-Base Voltage (IE = 0)  100 VVCEO Collector-Emitter Voltage (IB = 0)  100 VVEBO Emitter-Base Voltage (IC =  0)  5 VIC Collector Current 25 A
ICM Collector Peak Current (tp < 5ms) 50 AB Base Current 5 APtot Total Dissipation at Tc = 25oC 125 W
   

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