抗高压芯片齐纳芯片6000-8000V

深圳市通盛光照明有限公司

为什么**部表面的一些系列不是平面？答：由于我们使用的铝合金扩散技术它需要保护环，以保持所有参数规格。
齐纳二极管zener diodes(又叫稳压二极管)它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。
齐纳二极管不同于锗二极管的是：如果反向电压，有时简称为“偏压”增加到某个特殊值，对于一个微小偏压的变化，就会使电流产生一个可观的增加。引起这种效应的电压称为“击穿”电压或“齐纳”电压。2DW7型管的击穿电压在5．8－6．5V之间，较大电流是30mA。
稳压二极管是利用稳压管工作在反向击穿区域时，利用其陡峭的反向击穿特性在电路中起稳定电压作用。 
稳压管主要用于恒压源、辅助电源和基准电源电路。
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在制作大功率LED时，很多时候在芯片抗ESD能力差时都会并联一个齐纳二极管；是否齐纳二极管真能在一定程度上提高芯片的抗ESD能力？
我在分析了齐纳二极管的原理之后个人认为固晶作业时加固齐纳二极管对于芯片的抗ESD能力无提升。
各位有什么好的意见何观点敬请指正。
观点一：
静电的问题是比较复杂的，静电电压的高低、静电能量的大小，都具有随机性。
理论上讲：
1. 对于遇到较低的静电电压和较小的静电容量，在齐纳管的瞬态极限功率范围内，可以通过齐纳管泻放掉，若静电容量**过齐纳管道瞬态极限功率，齐纳管也就阵亡了，呈现短路状态，此时LED也跟着牺牲了。
2. 在封装上看，齐纳管到电极间的金线比较长，对于静电的突然引入放电，金线会产生电感作用，产生很高的感生电压反向作用于LED芯片，对LED芯片较为不利。应当设法将齐纳的引线尽可能短。
以上分析只所以要明确“理论上讲”，是因为我还没有遇到可明确是静电损坏的状况。即使我们在操作时、烙铁、设备、人员等都没有任何接地防静电措施（我们在深圳）。
我遇到LED一些有漏电的客诉，解剖芯片时，芯片竟然不漏电。也有客户说没有加齐纳管，生产的LED有漏电，加了之后也没有改善，且往往是某一阶段针对某种芯片发生。
有齐纳管，针对静电较多的场合和地区，还是会减少些损失的。对于LED产生漏电，要具体分析。芯片的质量、封装的工艺、材料、环境的洁净度等，都可能导致LED当时、或存放一段时间、或短期通电后发生漏电。其实，对于生产半导体器件，厂房地洁净度、操作员的个人卫生防护等是很重要的。而目前绝大多数LED封装厂都在这方面做得很不够。
观点二：
首先，加了齐纳管对提高LED灯的抗静电是有直接作用的。
因为这个齐纳二极管起到了静电泄放作用，即当LED芯片两个电极之间受到一个感应或者传导，积累到一定程度后，这个反向（一定是反向的）的能量就能在LED两个电极之间迅速将LED芯片两个电极层之间较近（电阻较低的路径）的路径烧熔LED，这个瞬间温度达到1400度以上，但这个仅仅是一个或者几个很微小的小孔。这就是LED被静电击损的原理
因为，LED剖开分析时，在高倍放大镜下能看到这些小孔（像雪花状），而且，有一个非常**的特点——他就发生在电极的附近，甚至是电极底部。不太专业的人很难判断。
加了齐纳二极管后，它就能将这个产生在LED芯片之间的静电消灭掉，并且是灭在萌芽之时，由于我们日常中静电能量都很小，齐纳二极管一般是不会阵亡的。
但是，目前市面上加了齐纳二极管的LED还是会有被静电损伤的，原因为：其实是在LED未加齐纳管之前的时间——LED芯片很可能已经受到静电的损伤，有可能是较轻的，未被觉察。有一点要清楚的，加接齐纳的LED，往往是因为LED芯片本身的抗静电指标就很低————所以，这个做法很类似‘先天不足、后天努力’的做法。
我认为，这个不太可取，尤其现在的LED抗静电指标也明显比三四年前有了明显的提高。
根据我们的实际测量的不同品牌的LED抗静电指标，很多正规的LED抗静电都能达到2000V以上，但部分B品、杂牌、韩系芯片抗静电仍然很低。感觉芯片市场还是较混乱、零散。
观点三：
静电放电，往往是一个高电压的突波，以齐纳管的频率特性，是否满足在这种突波到来时能立刻导通？不能及时导通，它的保护就不起作用。
齐纳管是用来做稳压的，不是适合高频的。适合高频的要用肖特基管。价格可不是稳压管可比的。LED封装是用不起的。
静电作用到LED，正负极性是随机的，单向齐纳管只对反向作用到LED上的电压看起来有用，对于正向作用到LED上的高压静电，在是LED损坏来保护齐纳管了。若采用双向齐纳管，那么齐纳管的击穿电压和LED的反向击穿电压相差多少？还能起到什么样的保护作用？通常，LED的反向击穿电压在30V以下，选用的齐纳管的反向击穿电压在8V以下，而静电动则几千伏、上万伏。
顺带说一下，有些厂家把击穿电压大于8V的也叫齐纳管，这是不正确的。只有小于6V的才适合叫做齐纳管。大于8V的是雪崩击穿。其实使用者没有必要乱叫齐纳管或雪崩管（某些人似乎想显示一下自己专业，其实显摆错了），统统就叫做稳压管，你就不用担心叫错了。
观点四：
针对加齐纳管是否对LED有提高的作用，我有以下一些经验和经历和大家共勉：
1）实测过同芯片同工艺封装出来的大功率LED，一部分固晶时加了齐纳，一部分没加，用**的ZY608半导体静电测试仪器测试：没加的抗静电在500-2000V之间，加了齐纳的，使用仪器极限值10KV，依然良好。结论：该大功率LED的芯片本身的抗静电较差、加了齐纳后抗静电真的提高。
2）LED只存在反向静电击穿，绝不存在正向击穿。
3）选用抗静电能高一些的LED芯片是提高LED抗静电较有效的办法，如果采用加齐纳的话，存在LED在未加的时候就已经被静电损伤，因为经典是无处不在，我见过在EPI（还未加电极的时候就造静电损坏的）。
4）LED的抗静电指标绝不是体现它抵抗静电强度那么简单的一个体现，了解LED芯片设计制造的（主要是EPI外延片的设计）的人清楚的知道，LED芯片高抗静电高与其漏电值、整体可靠性有很大关系，起码可以这样通俗的理解：抗静电能力高的LED，它的综合品质也会高。
不知大家是否清楚大约三四年前吧，当时的中国台湾LED芯片就是面临一个抗静电难题，而当时CREE、NICHIA都解决了其抗静电难题，当时我们实测CREE的达到6000-8000V，NICHIA的达到3000-4000V，而中国台湾的大多数都还只是几百伏的水平。
当时较中国台湾的元砷、泰谷就是较早想将自己的芯片应用在LED显示屏上，可他们只重视了亮度的提升，忽略了LED抗静电指标，较后几乎是在LED显示屏应用上没有成功。
而如今，中国台湾不少企业都改进了，抗静电指标明显的提升了不少，现在看到市面的LED屏不少都是用台系的LED芯片做的。
5）我认为LED照明应用方面也应要注重静电，我个人推崇的认为——LED生产企业，只要你采用抗静能力电高一些的LED芯片，好好封装，你的产品肯定可靠稳定。而LED用户也是，选用抗静电高的LED，那真的是管控LED品质的核心所在。