无锡PD芯片销售价格

随着USB PD快充及高通QC4+快充的普及，目前市面上已有多款设备支持了USB PD快充，甚至不少手机已经率先支持了USB PD3.0（PPS）协议，用户群数量也在不断增加，整个USB PD快充生态已经具备一定规模，市场前景一片火热。

PN8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了**低的待机功耗、全电压范围下的较佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。

PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307H内置电压降较低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8307H集成了较为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、防误开启、较小导通时间等功能。

骊微电子是芯朋微的一级代理商专注于电源方案设计开发，并具有8年以上电源方案设计经验，优秀的技术团队，产品主要覆盖5-100W以内各类电源产品，为客户提供高效能、低功耗、品质稳定的电源方案，并具有成本竞争力，得到了广大电源领域的高度认可！
作为USB PD协议中较新的充电标准，USB PD3.0（PPS）一直以来都备受关注，自从高通带来了**小米、华为、锤子等一批国内手机厂商相继入局，下面我们跟随芯朋微一级代理商骊微电子详细了解一下18W PD快充电源方案。

PN8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。

PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，芯片控制功率MOSFET开关以实现同步整流功能，当芯片检测到 V SW <-400mV时，控制器驱动功率MOSFET开启；当芯片检测到 V SW >-30mV时，控制器驱动功率MOSFET关闭，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。

骊微电子是芯朋微的一级代理商专注于电源方案设计开发，并具有8年以上电源方案设计经验，优秀的技术团队，产品主要覆盖5-100W以内各类电源产品，为客户提供高效能、低功耗、品质稳定的电源方案，并具有成本竞争力，得到了广大电源领域的高度认可！

随着USB PD快充及高通QC4+快充的普及，目前市面上已有多款设备支持了USB PD快充，甚至不少手机已经率先支持了USB PD3.0（PPS）协议，用户群数量也在不断增加，整个USB PD快充生态已经具备一定规模，市场前景一片火热。
PD充电协议是USB-IF组织公布的功率传输协议，它可以使目前默认最大功率5V/2A的type-c接口提高到100W，USBPD是目前主流的快充协议之一，芯朋微推出基于PN8161+PN8307H 18W USBPD充电器方案。

作为USB PD协议中较新的充电标准，USB PD3.0（PPS）一直以来都备受关注，自从高通带来了**小米、华为、锤子等一批国内手机厂商相继入局，下面我们跟随芯朋微一级代理商骊微电子详细了解一下18W PD快充电源方案。
PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，芯片控制功率MOSFET开关以实现同步整流功能，当芯片检测到 V SW -30mV时，控制器驱动功率MOSFET关闭，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。