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烽火通信40G解决方案的特点
烽火公司近些年一直致力于40G波分系统的研究，曾先后承担多项国家863项目，并且早在2005年就成功开通了国内条40G的商用工程，实现了40G和10G业务的混传。而后烽火通信经过不断创新，目前已经推出适合于不同应用场景的多种40G解决方案，并且系统掌握了自动功率均衡、增益锁定、自适应单通道精确色散补偿技术等核心技术。在40G10G混传方面积累了一定的工程经验，并且针对于不同的应用网络，推出了**的40G解决方案，*40G的应用难题。
图1 烽火40G DWDM解决方案特点
u 支持多种码型，应用不同网络场景
烽火公司40GDWDM设备可以支持NRZ、ODB、sDPSK、RZ-DQPSK、PM-QPSK等多种40G编码技术。NRZ支持100GHZ波道间隔，可以低成本的实现40波的40G系统较长距离可靠传送；ODB支持50GHZ波道间隔，可以支持3.84T的较长距离系统传送；sDPSK可以支持50GHZ，并有较好的信噪比容限，可以实现3.84T大容量长距离的稳定传送。烽火通信40G DWDM 设备，支持不同编码方式的混合传送，同一套系统中多种编码方式波道稳定运行。
u **长距离的传输功能－喇曼放大及FEC的应用
烽火公司40GDWDM所有线路侧光接口采用标准的G.709封装，通过SFEC技术，可明显提高系统编码增益达8-10dB，提高系统的信噪比容忍能力，保证系统容量，以支持高速率长距离传输。
40GDWDM系统相对于10GDWDM来说在信噪比、非线性的方面都有较高的要求，而采用拉曼放大器可以引入较小的自发辐射噪声和非线性，烽火通信曾在黑龙江首开国内拉曼放大器应用先河，对于拉曼放大器也有丰富的工程应用经验，配合SFEC技术+sDPSK实现3.84T的**长距离传输。
AD9914是一个直接数字合成器（DDS），具有一个12位DAC。 AD9914采用先进的DDS技术，再加上内部高速，高性能DAC，是一个数字可编程的，完善的高频合成器。它能够产生高达1.4 GHz的频率捷变模拟输出正弦波的波形。
AD9914实现了快速跳频和精细调谐分辨率（64位可编程模数模式）。此外，AD9914还提供了快速的相位和振幅跳跃能力。频率调谐和控制码，通过一个串行或并行I/O端口，被加载到AD9914上。AD9914还支持用户定义的线性扫描的操作模式，用于产生线性扫频的波形的频率，相位或者振幅。它还包括一个高速32位并行数据输入端口，以实现高数据传输率，用于极性调制方案和相位、频率、振度、调整码的快速重可编程。AD9914用于扩展工业温度范围。AD9914主要特性
• 3.5GSPS内部时钟速度
•集成的12位DAC
•频率调谐分辨率190PHZ
• 16位相位调谐分辨率
• 12位振幅缩放
•可编程模数
•线性和非线性自动频率扫描功能
• 32位并行数据通路接口
• 8个频率/相位偏移
•相位噪声：-128 dBc / Hz的频率为1396 MHz（1kHz偏移）
•宽带无杂散动态范围（SFDR）为-50dBc
•串行或并行I/O控制
• 1.8V/3.3V电源
•软件和硬件掉电控制
• 88引脚LFCSP封装
• PLL REF CLK增效器
•相位调制功能
•调幅能力
AD9914应用
•灵活的LO频率合成
•可编程时钟发生器
• FM调频信号源、雷达和扫描系统
•测试和测量设备
•声光设备驱动程序
•较化调制器
•快速跳频
在今天上午召开的*五届“华为亚太创新日”上，华为公司董事、战略研究院院长徐文伟表示，华为在**范围内已获得50多个5G商用合同，发货20多万个5G基站，接近三分之二的5G基站是由华为建设的。

Microsemi公司的MSCMDD/REF1是双路SiC MOSFET驱动器参考设计,是开源解决方案,提供了用户友好的设计指南,使得用户采用MicrosemiSiC MOSFET能更快地走向市场.参考设计还支持过度到下代SiC MOSFET,新的参考设计为用户提供了高度绝缘的SiC MOSFET双栅较驱动器开关,用作评估各种拓扑中SiC MOSFET的方法.这包括有同步死区时间保护的半桥开关闭优化模式,以及没有保护的异步信号传输.它还配置成提供共流驱动以了解无阻尼感应开关(UIS)或双脉冲测试.参考设计仅需要24V电源输入,两个栅较驱动的隔离大于2000V,每边栅较驱动能力8W,栅较驱动电压–5 V/20 V,峰值输出电流高达±30 A,高达400kHz开关频率,单端或RS485/RS422差分输入栅较控制,±100 kV/μs功能,故障信令,可配置开关死区时间,非常低的时序抖动.主要用在航空**(激励,空调,电源分配),汽车电子(混合/电动汽车动力总成,电动汽车电池充电器,DC/DC转换器和能量恢复),*(电源,大功率马达驱动),工业(光伏逆变器,马达驱动,焊接机,UPS,开关电源,电感加热,石油钻井)以及医疗(MRI,X射线电源).本文介绍了SiCMSCMDD/REF1参考设计主要特性,框图和半桥框图,电路图和材料清单.
The dual SiC MOSFET driver reference design is an open-source solutionthat provides user-friendly design guides, enabling faster time-to-marketfor customers using MicrosemiSiC MOSFETs. The reference design alsosupports the transition to Microsemi’s next-generation SiC MOSFETs.
The new reference design provides customers with a highly isolated SiCMOSFET dual-gate driver switch as a means of evaluating SiC MOSFETsin a number of topologies. This includes modes optimized for half-bridgeswitching with synchronous dead-time protection and asynchronous** transfer with no protection. It can also be configured to provideconcurrent drive to study unclamped inductive switching (UIS) or doublepulse testing. The board supports the modification of gate resistor values toaccommodate most Microsemidiscretes and modules.
The dual SiC MOSFET driver reference design is ideal for a wide rangeof end markets and applications, including aerospace (actuation, airconditioning, and power distribution), automotive (hybrid/electric vehiclepowertrains), electric vehicle battery chargers, DC-to-DC converters, andenergy recovery), defense (power supply and high-power motor drive),industrial (photovoltaic inverters, motor drives), welding, uninterruptiblepower supply, switched-mode power supply, induction heating, and oildrilling), and medical (MRI and X-ray power supply).
SiCMSCMDD/REF1参考设计主要特性:
• Switch configurable as either a high/low sidedriver with half bridges or independent drive
• Requires only a 24 V power input
• Galvanic isolation of more than 2000 V on bothgate drivers
• Capable of 8 W of gate drive power per side
• Peak output current of up to ±30 A
• Up to 400 kHz maximum switching frequency
• Single-ended or RS485/RS422 differential inputgate control
• Desaturation shoot-through (short-circuit)protection
• ±100 kV/μs capability
• Fault **ing
• SiC compatible under voltage lockoutprotection
• Gate drive voltage is –5 V/20 V and adjustablefor lower voltages
• Switch-configurable dead time
• Option of disabling shoot-through protection fordual switch UIS/RUIS testing
• Very low timing skew

目前3D封装技术已对外公告的新成果，现阶段除了半导体代工制造**台积电积极，已宣布预计于2020年导入量产SoIC和WoW(Wafer on Wafer)等3D封装技术外，另有IDM大厂Intel也提出Foveros之3D封装概念，将于2019下半年迎战后续处理器与HPC芯片之封装市场。

再以整体营收来看，可发现随着时间季度推进，稳懋基地台设备产值更有逐季提升趋势，甚至2019年*二季已达到高点4千1百万美元，推升该季营收表现，因此虽受中美贸易战影响，但现阶段5G通讯设备发展与布局仍持续进行中，对于稳懋GaN元件于基地台设备的使用与建置上，其营收方面将逐渐摆脱中美摩擦阴霾。