CAT24C256WI-GT原厂芯片

制造过程.
从1930年始，元素周期表中的化学元素中的半导体被研究者如贝尔实验室的William Shockley认为是固态真空管的可能的原料。从氧化铜到锗，再到硅，原料在1940到1950年代被系统的研究。今天，尽管元素中期表的一些III-V价化合物如砷化镓应用于特殊用途如：发光二极管，激光，太阳能电池和速集成电路，单晶硅成为集成电路主流的基层。创造无缺陷晶体的方法用去了数十年的时间。
半导体IC制程，包括以下步骤，并重复使用：
黄光(微影)
蚀刻
薄膜
扩散
CMP
使用单晶硅晶圆（或III-V族，如砷化镓）用作基层。然后使用微影、扩散、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件，然后利用微影、薄膜、和CMP技术制成导线，如此便完成芯片制作。因产品性能需求及成本考量，导线可分为铝制程和铜制程

芯片，又称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、集成电路（英语：integrated circuit, IC）。是指内含集成电路的硅片，体积很小，常常是计算机或其他电子设备的一部分

发展历程.
的集成电路是微处理器或多核处理器的"核心(cores)",可以控制电脑到手机到数字微波炉的一切。存储器和ASIC是其他集成电路家族的例子，对于现代信息社会非常重要。虽然设计开发一个复杂集成电路的成本非常高，但是当分散到通常以百万计的产品上，每个IC的成本小化。IC的性能很高，因为小尺寸带来短路径，使得低功率逻辑电路可以在快速开关速度应用。
这些年来，IC 持续向更小的外型尺寸发展，使得每个芯片可以封装更多的电路。这样增加了每单位面积容量，可以降低成本和增加功能－见摩尔定律，集成电路中的晶体管数量，每两年增加一倍。总之，随着外形尺寸缩小，几乎所有的指标改善了－单位成本和开关功率消耗下降，速度提高。但是，集成纳米级别设备的IC不是没有问题，主要是泄漏电流（leakage current）。因此，对于终用户的速度和功率消耗增加非常明显，制造商面临使用更好几何学的尖锐挑战。这个过程和在未来几年所期望的进步，在半导体国际技术路线图（ITRS）中有很好的描述。

而根据处理信号的不同，可以分为模拟集成电路、数字集成电路、和兼具模拟与数字的混合信号集成电路。