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氧化锌(ZnO)是一致熔融化合物,ZnO晶体基片,熔点为1975℃。由于高温下氧化锌(ZnO)的挥发性很强,传统的提拉法等熔体生长工艺很难获得氧化锌(ZnO)晶体体单晶。目前,ZnO晶体,氧化锌(ZnO)晶体体单晶的生长方法主要有缓慢冷却法、水热法和气相生长法。氧化锌(ZnO)单晶是具有六方晶系纤锌矿型化合物的晶体结构的半导体,其可直接跃 迁,禁带宽度(Eg 3. 37eV)大。此外,与其它半导体材料(GaN :21meV、ZnSe :20meV)相比, 其激子结合能(ZnO :60meV)非常大,因此,可期待将其用作高效的发光器件材料。
氧化锌(ZnO)的带边发射在紫外区,非常适宜作为白光LED的激发光源材料,凸显了氧化锌(ZnO)在半导体照明工程中的重要地位,氧化锌(ZnO)具有资源丰富、价格低廉、高的化学和热稳定性,更好的抗辐照损伤能力,适合做**命器件等多方面的优势。氧化锌(ZnO)晶体随着环境条件的改变形成不同结构的晶体。ZnO晶体中的化学键既有离子键的成分,又有共价键的成分,两种成分的含量差不多,因而使得ZnO晶体中的化学键没有离子晶体那么强,导致其在一定的外界条件下更容易发生晶体结构上的改变。
氧化锌(ZnO)是Ⅱ-Ⅵ族纤锌矿结构的半导体材料,ZnO晶体基片价格,禁带宽度为3.37eV;另外,其激子束缚能(60meV)比GaN(24meV)、ZnS(39meV)等材料高很多,如此高的激子束缚能使它在室温下稳定,不易被激发(室温下热离化能为26meV),降低了室温下的激1射阈值,提高了ZnO材料的激发效率。基于这些特点,ZnO材料既是一种宽禁带半导体,又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。
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