肖特基SB10200FCT

深圳市维品佳科技有限公司

肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触，就如同二管具有整流特性。是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。
肖特基势垒指具有大的势垒高度（也就是ΦBn 或者 ΦBp 》》 kT），以及掺杂浓度比导带或价带上态密度低的金属-半导体接触（施敏， 半导体器件物理与工艺， 二版， 7.1.2）。
肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触，就如同二管具有整流特性。是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。
金属与n型半导体形成的肖特基势垒如图1所示。金属—半导体作为一个整体在热平衡时有同样费米能级。肖特基势垒相较于PN界面大的区别在于具有较低的界面电压，以及在金属端具有相当薄的（几乎不存在）空乏区宽度。由半导体到金属，电子需要克服势垒；而由金属向半导体，电子受势垒阻挡。在加正向偏置时半导体一侧的势垒下降；相反，在加反向偏置时，半导体一侧势垒增高。使得金属-半导体接触具有整流作用（但不是一切金属—半导体接触均如此）。如果对于N型半导体，金属的功函数大于半导体的功函数，对于P型半导体，金属的功函数小于半导体的功函数，以及半导体杂质浓度不小于10^19/立方厘米数量级时会出现欧姆接触，它会因杂质浓度高而发生隧道效应，以致势垒不起整流作用。并非所有的金属-半导体接面都是具有整流特性的，不具有整流特性的金属-半导体接面则称为欧姆接触。整流属性决定于金属的功函、固有半导体的能隙，以及半导体的掺杂类型及浓度。在设计半导体器件时需要对肖特基效应相当熟悉，以确保不会在需要欧姆接触的地方意外地产生肖特基势垒。当半导体均匀掺杂时肖特基势垒的空间电荷层宽度和单边突变P-N结的耗尽层宽度相一致。
肖特基势垒是什么？具有什么应用优势
优点
由于肖特基势垒具有较低的界面电压，可被应用在某器件需要近似于一个理想二管的地方。在电路设计中，它们也同时与一般的二管及晶体管一起使用， 其主要的功能是利用其较低的界面电压来保护电路上的其它器件。
然而，自始至终肖特基器件相较于其它半导体器件来说能被应用的领域并不广。
器件
肖特基二管，肖特基势垒自身作为器件即为肖特基二管。
肖特基势垒碳纳米管场效应晶体管ET：金属和碳纳米管之间的接触并不理想所以层错导致肖特基势垒，所以我们可以使用这一势垒来制作肖特基二管或者晶体管等等。
二管和整流器，Diodes Inc
二管配置单路
大连续正向电流500mA
每片芯片元件数目1
峰值反向重复电压30V
安装类型表面贴装
封装类型SOD-323
二管类型肖特基
引脚数目2
大正向电压降450mV
长度1.8mm
宽度1.4mm
高度1.1mm
高工作温度+125 °C
峰值反向电流500？A
尺寸1.8 x 1.4 x 1.1mm
峰值非重复正向浪涌电流2A
工作温度-40 °C

肖特基二管封装：
肖特基二管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。 采用有引线式封装的肖特基二管通常作为高频大电流整流二管、续流二管或保护二管使用。它有式和对管（双二管）式两种封装形式。肖特基对管又有共阴（两管的负相连）、共阳（两管的正相连）和串联（一只二管的正接另一只二管的负）三种管脚引出方式。
采用表面封装的肖特基二管有型、双管型和三管型等多种封装形式，有A~19种管脚引出方式

肖特基二管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二管或表面势垒二管，它是一种热载流子二管。

肖特基二管又被称为肖特基势垒二管（简称 SBD），是一种低功耗、高速半导体器件。肖特基二管显著的特点是反向恢复时间短，正向导通压降仅为0.4V左右。肖特基二管多用作高频、大电流整流二管、低压、续流二管、保护二管、小信号检波二管、微波通信等电路中作整流二管等处使用。肖特基二管在通信电源、变频器等中比较常见。肖特基二管在双型晶体管的开关电路里面，通过在连接二管来箝位。