产品规格: | 不限 | 产品数量: | 不限 |
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5、感性负载
5.1 有效电感 L 100 200 500 1000 μH;
5.2 电流 Ic 1000 1000 1000 500 A;
外部电感成阵列的内部连接。(外部电感的H值传给PC,甘肃IGBT测试仪厂家,以计算电流源的极限,限制脉宽到1000us)。
6、标准的双控制较驱动
6.1 门较电阻可人工预先设定如:2.5Ω,地铁**IGBT测试仪厂家,5Ω,10Ω等;
6.2 开启(Trun-ON)输出电压 Vge+ : +15V;
6.3 关断(Trun-ON)输出电压 Vge- : -15V;
6.4 脉宽: 10 ~ 1000us (单脉冲、双脉冲总时间);
6.5 电压开关时间: < 50ns;
6.6 输出内阻: < 0.5Ω;
产品主要有电力半导体器件、组件、模块(包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶闸管及功率整流管等)的检测及可靠性设备,高铁**IGBT测试仪厂家,电气自动化设备,电冶、电化学装置,新能源汽车**IGBT测试仪厂家,电力半导体变流装置及各种高、中、低频感应加热电源、感应加热炉,晶闸管高压阀组、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驱动器、远距离光电转换软件控制系统、光电脉冲触发板、IGBT的智能高压驱动板等。
什么是大功率半导体元件?其用途为何?
凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC(可控硅)、SCR(晶闸管)、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等,其工作电流与电压乘积若大于1KW以上,均可属于大功率的范围。如下图片所示。此类元件多用于车船,工厂的动力,光电及其他能源的转换上。