RY15N04 TO-252封装，低内阻

  深圳市日月辰科技有限公司是一家主要致力于高效率半导体器件研发生产的公司。公司与中国台湾专业的电力电子技术方面的人才合作，*设计以 MOSFET、二极管、整流桥、IGBT等为主要产品的电子元件。
        日月辰的首要目标是着重开发适用于开关电源、液晶电视、充电器、便携式多媒体、LED照明、电动车、航模、电动玩具、UPS、电池保护、逆变器、高频逆变焊机、UPS领域的高功率系统电力电子产品；长期目标是成长为设计生产适用于各种高效绿色能源产业的高功率半导体器件的特色企业。
"Part
Number "	Package 	ID(A) 	VDSS(V)	VGSS(V)	VGS(th)(V) 		RDS(ON)(mΩ)	备注
			Min.	Min.	Min.	Max.	10V	
AO3401	SOT-23	-4.2	-30	±10	1	3	42	P沟道
AO3400	SOT-23	5.8	30	±10	1	3	28	N沟道
RY4803	SOP-8	-5/-5	-30	±10	1	3	45	P+P
RY4807	SOP-8	-6/-6	-30	±10	1	3	35	P+P
RY4805	SOP-8	-9/-9	-30	±10	1	3	18	P+P
RY4927	SOP-8	-9/-9	-30	±10	1	3	19	P+P
RY20N03	TO-252	20	30	±10	1	3	16	N沟道
RY31N03	TO-252	31	30	±10	1	3	12	N沟道
RY40N03	TO-252	40	30	±10	1	3	9	N沟道
RY50N03	TO-252	50	30	±10	1	3	7	N沟道
RY60N03	TO-252	60	30	±10	1	3	6	N沟道
RY100N03	TO-252	100	30	±10	1	3	3	N沟道
RY10N04	TO-252	10	40	±10	1	3	20	N沟道
RY15N04	TO-252	15	40	±10	1	3	15	N沟道
RY40N04	TO-252	40	40	±10	1	3	12	N沟道
RY120N04	TO-252	120	40	±10	1	3	3.3	N沟道
RY130N04	TO-252	130	40	±10	1	3	3	N沟道
RY50N06	TO-252	50	60	±10	1	3	12	N沟道
RY70N06	TO-252	70	60	±10	1	3	9	N沟道
RY50N06	TO-220C	50	60	±10	2	4	12	N沟道
RY180N06	TO-220C	180	60	±10	2	4	2.5	N沟道
RY120N10	TO-220C	120	100	±10	2	4	6	N沟道
RY180N10	TO-263	180	100	±10	2	4	3	N沟道
RY180N10	TO-220C	180	100	±10	2	4	3	N沟道