T2251N76TOH

上海秦邦电子科技有限公司

IGBT、二极管、整流桥、IPM、电容
可控硅-快速系列，交期快，货源稳，品质保证
 注：1、一些商品价格标价为 1.00元并非真实价格，若要相关真实价格可联系QQ或者来电咨询！
     2、本店可累积消费，当您在3个月内购买一种产品达到一定的量，多出来的差价我们会给您按数量来判断补差价给予买方。（差价仅在期限里有效哦，用的好别忘了来多买，莫错失哦！）
3 、赛米控（西门康）SEMIKRON 英飞凌 （Infineon）可控硅 IGBT 系列产品，本公司可直接向德国订货，货源稳 交期快 量大更优惠！保证每颗型号都为原装正品新件。
欢迎新老客户咨询！
 所报价格均含税含运费价格！如果不明白欢迎来电咨询，谢谢！
原装正品、长期现货、三包承若
期待与贵公司的合作！ 
愿我公司能给贵公司带来更多的帮助!

晶闸管的检测
1、判别各电极：根据普通晶闸管的结构可知，其门较G与阴极K较之间为一个PN结，具有单向导电特性，而阳极A与门较之间有两个反极性串联的PN结。因此，通过用万用表的R×100或R×1 k Q档测量普通晶闸管各引脚之间的电阻值，即能确定三个电极。具体方法是：将万用表黑表笔任接晶闸管某一较，红表笔依次去触碰另外两个电极。若测量结果有一次阻值为几千欧姆(kΩ)，而另一次阻值为几百欧姆(Ω)，则可判定黑表笔接的是门较G。在阻值为几百欧姆的测量中，红表笔接的是阴极K，而在阻值为几千欧姆的那次测量中，红表笔接的是阳极A，若两次测出的阻值均很大，则说明黑表笔接的不是门较G，应用同样方法改测其他电极，直到找出三个电极为止。也可以测任两脚之间的正、反向电阻，若正、反向电阻均接近无穷大，则两较即为阳极A和阴极K，而另一脚即为门较G。普通晶闸管也可以根据其封装形式来判断出各电极。 螺栓形普通晶闸管的螺栓一端为阳极A，较细的引线端为门较G，较粗的引线端为阴极K。平板形普通晶闸管的引出线端为门较G，平面端为阳极A，另一端为阴极K。金属壳封装(T0—3)的普通晶闸管，其外壳为阳极A。塑封(T0—220)的普通晶闸管的中间引脚为阳极A，且多与自带散热片相连。
2、触发能力检测：对于小功率(工作电流为5 A以下)的普通晶闸管，可用万用表R×1档测量。测量时黑表笔接阳极A，红表笔接阴极K，此时表针不动，显示阻值为无穷大(∞)。用镊子或导线将晶闸管的阳极A与门较短路(见图2)，相当于给G较加上正向触发电压，此时若电阻值为几欧姆至几十欧姆(具体阻值根据晶闸管的型号不同会有所差异)，则表明晶闸管因正向触发而导通。再断开A较与G较的连接(A、K较上的表笔不动，只将G较的触发电压断掉)。若表针示值仍保持在几欧姆至几十欧姆的位置不动，则说明此晶闸管的触发性能良好。

晶闸管的种类？
1， 可关断型晶闸管 KG
普通型晶闸管，在控制较G加上正向触发信号普通型晶闸管导通后，控制较G就失去作用，要使普通型晶闸管关断，必须阳极A与阴极K的正向电压为零或加上负电压。而可关断型晶闸管只要在控制较G加上足够大且较宽的负向触发电流，就可以使晶闸管有效关断。
用途：一般使用在斩波调速、变频调速、逆变电源及直流控制电路中，如直流负载（继电器线圈、电磁阀、电磁离合器、直流电机）的电源通断、汽车点火器等。
2， 双向晶闸管 KS
普通型晶闸管，如果在阳极A与阴极K的加上负向电压，即使在控制较G加上正向触发信号，普通型晶闸管也不会导通。而双向晶闸管却能够导通。要使双向晶闸管关断，必须阳极A与阴极K的之间的电压为零。
用途：一般使用在交/直流控制电路中，如调压器；逆变器；交/直流负载开关等。
3， 逆导晶闸管KN（亦称反向导通晶闸管）
在某些应用场合（如逆变器、斩波器等）要求晶闸管阳极A与阴极K端并接反向二极管，而逆导晶闸管正是基于这个要求，在一个硅片材料上，将晶闸管与反向二极管集成在了一起。因而逆导晶闸管具有正向导通可控、反向自然导通且可通过大电流的不可控；具有耐高压、耐高温；关断时间短、通态电压低等优良性能等特点。
用途：一般用于开关电源；UPS不间断电源；高压、大功率负载上。如轨道交通的电源。
4， 快速晶闸管KK
由于在某些应用领域，要求晶闸管能够快速响应及通断功能，而快速晶闸管是在普通晶闸管制作基础上，改变了制作工艺，使得晶闸管在开通与关断时间上大幅缩短，开通时间为8μs左右；关断时间为50μs左右。主电路换向时间小于60ms，同时工作频率也提升至几千HZ。
用途：常用于UPS不间断电源；三相变频电源；中频电源；超声波电源；逆变器、斩波器；快速开关，脉宽调制器，多谐振荡器等
5，光控晶闸管
光控晶闸管是既可利用光源激发导通；也可象普通晶闸管由控制较G触发信号来导通的晶闸管，在结构上有两端（无控制较G）和三端之分。光控制是，其主电路与控制电路在电气上完全绝缘。

晶闸管的伏安特性
晶闸管阳极A与阴极K之间的电压与晶闸管阳极电流之间关系称为晶闸管伏安特性,如图2所所示。正向特性位于象限,反向特性位于*三象限。
(1) 反向特性
当门较G开路,阳极加上反向电压时(见图3),J2结正偏,但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流,当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后,同时J3结也击穿,电流迅速增加,如图2的特性曲线OR段开始弯曲,弯曲处的电压URO称为“反向转折电压”。此后,晶闸管会发生*性反向击穿。
(2) 正向特性
当门较G开路,阳极A加上正向电压时(见图4),J1、J3结正偏,但J2结反偏,这与普通PN结的反向特性相似,也只能流过很小电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,如图2的特性曲线OA段开始弯曲,弯曲处的电压UBO称为“正向转折电压”。
由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后,J2结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的电子和空穴,电子进入N1区,空穴进入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合。同样,进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿后，进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉。这样，在N1区就有电子积累，在P2区就有空穴积累，结果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只要电流稍有增加,电压便迅速下降，出现所谓负阻特性，见图2中的虚线AB段。这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，晶闸管便进入正向导电状态——通态,此时，它的特性与普通的PN结正向特性相似，如图2的BC段。
(3) 触发导通
在门较G上加入正向电压时(如图5所示),因J3正偏,P2区的空穴进入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。在晶闸管的内部正反馈作用(如图2)的基础上,加上IGT的作用,使晶闸管提前导通,导致图2中的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。