“IGBIGBT模块报价 6MBI100S-120 直销开售”详细信息
产品规格: |
不限 |
产品数量: |
9999.00 件 |
包装说明: |
不限 |
价格说明: |
不限 |
查看人数: |
63 人 |
本页链接: |
https://info.b2b168.com/s168-174575743.html |
系列: |
IGBT系列 |
封装: |
标准封装 |
批号: |
new |
可控硅类型: |
硅(si) |
种类: |
化合物半导体 |
上海菲兹电子科技有限公司
器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅较(即门较G)。沟道在紧靠栅区边界形成。在C、E两较之间的P型区(包括P+和P-区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannel region)。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区(Drain injector),它是IGBT特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP双较晶体管,起发射较的作用,向漏较注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏较(即集电极C)
正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限,远远不能满足电力电子应用技术发展的需求;高压领域的许多应用中,要求器件的电压等级达到10KV以上,只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件,德国的EUPEC生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用,日本东芝也已涉足该领域。与此同时,各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术,主要采用1um以下制作工艺,研制开发取得一些新进展。2013年9月12日 我国*的高压大功率3300V/50A IGBT(绝缘栅双较型晶体管)芯片及由此芯片封装的大功率1200A/3300V IGBT模块通过*鉴定,中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯”。
IGBT在关断过程中,漏较电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后,PNP晶体管的存储电荷难以*消除,造成漏较电流较长的尾部时间,td(off)为关断延迟时间,trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏较电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成,而漏较电流的关断时间。
IGBT 的转移特性是指输出漏较电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同,当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时,IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏较电流范围内, Id 与Ugs呈线性关系。栅源电压受漏较电流限制,其值一般取为15V左右。
欢迎来到上海菲兹电子科技有限公司网站,我公司位于历史文化悠久,近代城市文化底蕴深厚,历史古迹众多,有“东方巴黎”美称的上海市。 具体地址是
上海徐汇沪闵路1幢500室,联系人是张岚飒。
主要经营熔断器(fuse)是指当电流**过规定值时,以本身产生的热量使熔体熔断,断开电路的一种保护器件。
熔断器通常采用低熔点的铅锡合金、锌、铜、等材料制成,广泛应用于高低压配电系统和控制系统以及用电设备中。。
单位注册资金未知。
我要给“IGBIGBT模块报价 6MBI100S-120 直销开售”留言
“IGBIGBT模块报价 6MBI100S-120 直销开售”联系方式