德国IXYS二极管模块MDD95-08N1B二极管

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上海秦邦电子科技有限公司

品牌:vishay批号:new封装:国际封装系列:VSKC型号:VSKC250-12

雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结性损坏。
标准二极管模块
特点: 
*JEDEC TO-240 AA 国际标准封装
*直接铜敷 Al2O3 陶瓷底板
*平面钝化芯片 
*隔离电压3600伏
*阻断电压高达1800伏
*低正向压降
*适用于PCB焊接的引线端子
*符合 UL认证,E 148688
应用:
*直流电流设备
*脉宽逆变器的输入整流器
*脉宽逆变器的直流电源
*直流电机接地电源
*直流电源电池
标准二极管模块
PSKD26/08
PSKD26/12
PSKD26/14
PSKD26/16
PSKD26/18
PSKD44/08
PSKD44/12
PSKD44/14
PSKD44/16
PSKD44/18
PSKD56/08
PSKD56/12
PSKD56/14
PSKD56/16
PSKD56/18
PSKD72/08
PSKD72/12
PSKD72/14
PSKD72/16
PSKD72/18
PSKD95/08
PSKD95/12
PSKD95/14
PSKD95/16
PSKD95/18 
PSKD142/08
PSKD142/12
PSKD142/14
PSKD142/16
PSKD142/18
PSKD172/08
PSKD172/12
PSKD172/14
PSKD172/16
PSKD172/18
PSKD220/08
PSKD220/12
PSKD220/14
PSKD220/16
PSKD250/08
PSKD250/12
PSKD250/14
PSKD250/16
PSKD250/18 
PSKD255/14
PSKD255/16
PSKD255/18
PSKD310/08
PSKD310/12
PSKD310/14
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PSKD310/18
PSKD312/12
PSKD312/14
PSKD312/16
PSKD312/18
PSKD312/20
PSKD312/22
PSTKD82/06*
PSTKD82/08*
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PSTKD82/16*
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PSND150E/08
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PSMD200E/02
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PSMD200E/06
PSMD200E/08
PSMD200E/10
PSMD200E/12
德国IXYS二极管模块MDD95-08N1B二极管
二极管的正负二个端子。正端A称为阳极,负端K ;称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移动。一些初学者容易产生这样一种错误认识:“半导体的一‘半’是一半的‘半’;而二极管也是只有一‘半’电流流动(这是错误的),所有二极管就是半导体 ;”。其实二极管与半导体是完全不同的东西。我们只能说二极管是由半导体组成的器件。半导体无论那个方向都能流动电流。
特价供应WESTCODE、英飞凌、infineon、POWEREX等型号系列电力电子元器件。原装英国西码WESTCODE   N系列相控可控硅、R系列快速可控硅、SM系列、SW系列普通二极管
德国IXYS二极管模块MDD95-08N1B二极管
反向性
外加反向电压不**过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目增加,反向饱和电流也随之增加
三社二极管模块:
DD25F120
DD25F160
DD40F120
DD40F160
DD55F120
DD55F160
DD70F120
DD70F160
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DD100HB160
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DD60GB80
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DD100GB80
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KD30GB80 
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KD100GB80 
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KD30HB160
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KD100HB160
DWR50A30
DWR70A30
MDFR150A-L
MDFR250A-L
MDFR150A-M
MDFR250A-M
MDF250A-L
MDF150A-L
MDF150A-M
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DD30HB120
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DD200GB40
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DD200GB80
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DD160KB80
KF100HB120
KF100HB160
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MDF150A50
MDF200A40
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MDF250A30
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MDF250A50
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MDR150A30
MDR150A50
MDR200A30
MDR200A40
MDR200A50
MDR250A30
MDR250A40
MDR250A50
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DWR70A30
DWR50A30
DWR40A30
DWR100A40
DWR100A30
DWF70A30
DWF70BB30
DWF50A40
DWF40A40
DWF70BB40
DWF70A40
DWF50A30
DWF40A30
SDWF100A40
DWF100A30
肖特基二极管
DSR200AA60
DSR200BA60
DSR200BA50
DSR300BA60
DSR400AA60
DG20AA120
DG20AA80
DG20AA40 
DG20AA160
快速恢复二极管模块 
Fast Recovery Diode Modules  
FRG150BA50
FRG25BA60 
FRG25CA120
FDF60BA60
FDF25CA120
FDF25CA100
FRD100BA60 
FRD100CA120
FDS100CA120 
FDS100CA100
FDS100BA60
FRS200AA40
FRS200AA60
FRS200CA100
FRS200CA120
FRS300CA50
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FRS400DA120
FRS400DA100
FRS150BA50 
FRS400BA50
FRS400BA60
FRS200BA60
FRS300BA50
FRS400EA180
FRS400EA200
DKR200AB60
DKR300AB60
DKR400AB60
BKR400AC10
BKR400AB10
DKA300AA60 
DBA100UA60 
DBA100UA40 
DBA200UA40 
DBA200UA60
德国IXYS二极管模块MDD95-08N1B二极管
主要参数
用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言,必须了解以下几个主要参数:
1、整流电流IF
是指二极管长期连续工作时,允许通过的正向平均电流值,其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度**过容许限度(硅管为141左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下,二极管使用中不要**过二极管整流电流值。例如,常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。
2、反向工作电压Udrm
加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。为了保证使用安全,规定了反向工作电压值。例如,IN4001二极管反向耐压为50V,IN4007反向耐压为1000V。
3、反向电流Idrm
反向电流是指二极管在常温(25℃)和反向电压作用下,流过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10℃,反向电流一倍。例如2AP1型锗二极管,在25℃时反向电流若为250uA,温度升高到35℃,反向电流将上升到500uA,依此类推,在75℃时,它的反向电流已达8mA,不仅失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25℃时反向电流仅为5uA,温度升高到75℃时,反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。
4.动态电阻Rd
二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。
5工作频率Fm
Fm是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样,其结电容由势垒电容组成。所以Fm的值主要取决于PN结结电容的大小。若是**过此值。则单向导电性将受影响。
6,电压温度系数αuz
αuz指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。uz为6v左右的稳压二极管的温度稳定性较好
 EUPEC二极管模块:DD Series---- Diode / Diode Phase Control  双二极管模块
DD89N12K
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DD231N24K
DD231N26K  
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DD285N04K
DD285N06K
DD285N08K  
DD350N12K
DD350N14K
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DD350N18K  
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DD540N26K  
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DD600N16K
DD600N18K

    “德国IXYS二极管模块MDD95-08N1B二极管”联系方式

    上海秦邦电子科技有限公司

  • 林女士(销售部经理)

    电话:0512-36886603

    传真:0512-36886603

    手机:15995613456

    地址:上海奉贤上海市奉贤区奉浦工业区奉浦大道111号7楼3247室

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