“英飞凌IGBT代理商,英飞凌IGBT中国官方授权一级代理商”详细信息
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公司编号: |
14334192 |
更新时间: |
2024-04-30 11:02:04 |
深圳市康拜尔科技有限公司
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较新消息:【2021年9月17日,德国慕尼黑和奥地利菲拉赫讯】英飞凌科技股份公司今日宣布,其位于奥地利菲拉赫的300毫米薄晶圆功率半导体芯片工厂正式启动运营。这座以“面向未来”为座右铭的芯片工厂,总投资额为16亿欧元,是欧洲微电子领域同类中较大规模的项目之一,也是现代化程度较高的半导体器件工厂之一。欧盟委员Thierry Breton、奥地利Sebastian Kurz、英飞凌科技股份公司**执行官Reinhard Ploss博士、英飞凌科技奥地利股份公司**执行官Sabine Herlitschka博士共同出席了新工厂的开业庆典。
着眼于通过增效减排来实现长期盈利性增长,英飞凌早在2018年就宣布新建一座芯片工厂,用于生产功率半导体器件(高能效芯片)。英飞凌**执行官Reinhard Ploss博士表示:“新工厂是英飞凌发展史上的又一重要里程碑,其启动运营对于我们的客户来说也是重大利好消息。由于**对功率半导体器件的需求不断增长,当前正是新增产能的较好时机。过去几个月的市场形势已经清楚地表明,微电子技术至关重要,几乎涵盖了生活的各个领域。随着数字化和电气化进程的加快,我们预计未来几年**对功率半导体器件的需求将持续增长。新增产能将帮助我们更好地为**客户提供长期的优质服务。”
**芯片市场的形势表明,投资于创新技术对于未来发展而言非常重要。在当今世界,微电子技术是占据主导地位的关键技术,数字化领域的相关研发、系统和技术均以此为基础。在业内,英飞凌的产能扩张对于维持**供应链稳定具有里程碑式的意义。
首批产品目前正在出货
经过三年的准备和建设,新工厂于8月初投产,比原计划提前了3个月。首批晶圆将在本周完成出货。在扩大产能的**阶段,所产芯片将主要用于满足汽车行业、数据中心、以及太阳能和风能等可再生能源发电领域的需求。在公司整体层面,新工厂有望为英飞凌带来每年约 20 亿欧元的销售额提升。
菲拉赫工厂生产的半导体将用于多种应用。 因此,新工厂将使英飞凌能够服务于电动汽车、数据中心以及太阳能和风能领域对功率半导体不断提升的市场需求。从数字上来看,规划的工业半导体年产能将能够满足发电量总和约1,500 TWh的太阳能系统之所需,而这约是德国年耗电量的三倍。
英飞凌科技奥地利股份公司**执行官Sabine Herlitschka博士表示:“这项投资表明,在竞争激烈的微电子领域,欧洲有能力成为较具吸引力的生产基地。通过这项投资,我们也树立了全新的成员。菲拉赫新厂生产的高能效芯片,将成为推动能源转型的核心力量。通过新工厂,英飞凌正在为《欧洲绿色协议》(European Green Deal)目标的实现乃至为**的低碳节能发展做出积极贡献。我们已经做好了面向未来的准备!”
高能效芯片助力打造绿色环保产品
多年来,英飞凌的产品一直在为提高能源效率乃至气候保护做出贡献。作为英飞凌**功率半导体的专业核心,菲拉赫工厂在这些解决方案中发挥着重要作用。这些高能效芯片可以智能地控制电源开关,可以显著降低诸如家用电器、LED照明设备和移动设备等众多应用的能耗,从而较大限度地减少碳排放。例如,现代半导体器件能够将冰箱的能耗降低40%,将建筑照明的能耗降低25%。得益于菲拉赫工厂的产品组合,采用新生产设施所生产的产品能够减少**过 1300 万吨的二氧化碳排放。这相当于欧洲 2000 多万居民产生的二氧化碳量。
高效节能的工厂
在菲拉赫工厂的建设过程中,英飞凌特别注意进一步改善能源使用状况:通过冷却系统的废热智能回收利用,能够满足工厂80%的供暖需求,每年减少约2万吨二氧化碳排放。另外,废气净化系统的广泛使用,让直接排放几乎为零。
在可持续生产和循环经济方面的另一重要里程碑,是绿氢的生产和回收。自2022年初开始,生产过程中所需的氢气将直接在菲拉赫工厂利用可再生能源来制备,从而消除原生产和运输环节中的二氧化碳排放。绿氢在用于芯片生产后将被回收,为公交巴士提供动力。这一双重使用绿氢的项目在欧洲是*一**的。通过这些举措,菲拉赫新厂正在发挥重要作用,大力推动英飞凌在2030年实现碳中和目标。
IPD50R800CEAUMA
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-253
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源较击穿电压: 500 V
Id-连续漏较电流: 7.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 800 mOhms
Vgs - 栅较-源较电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源较阈值电压: 3 V
Qg-栅较电荷: 12.4 nC
较小工作温度: - 55 C
较大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 60 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 15.9 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
湿度敏感性: Yes
产品类型: MOSFET
上升时间: 5.5 ns
系列: CoolMOS CE
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 6.2 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: IPD50R800CE SP001396798
单位重量: 330 mg1
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