GD GD5F4GQ6UEYIGR 存储IC

SPI（串行外围接口）NAND闪存基于行业标准的NAND闪存核心，为嵌入式系统提供了一种**经济高效的高密度非易失性存储器存储解决方案。它是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的有吸引力的替代品，具有高级功能：

1、总引脚数为8，包括VCC和GND

2、密度4Gb

3、优于SPI-NOR的写入性能和每比特成本

4、比并行NAND成本低得多

这种低引脚数NAND闪存遵循行业标准的串行外围接口，从一个密度到另一个密度始终保持相同的引脚输出。命令集类似于常见的SPI-NOR命令集，经过修改以处理NAND特定的功能并添加了新功能。GigaDevice SPI NAND是一款易于集成的NAND闪存，具有特定的设计功能，便于主机管理：

1、用户可选择的内部ECC。ECC奇偶校验在页面编程操作期间在内部生成。当页面被读取到缓存寄存器时，检测ECC奇偶校验，并在必要时纠正错误。设备输出校正数据并返回ECC错误状态。

2、使用内部ECC移动或复制内部数据。该设备可以轻松地刷新和管理垃圾收集任务，而*移入和移出数据。此命令字符串只能用于具有相同奇偶校验属性的块。

3、通电读取，内部ECC。开机后，设备会自动将**个区块的**页读取到缓存中，然后主机可以直接从缓存中读取数据，以方便启动。当启用ECC时，内部ECC也保证数据正确。

它在基于页面的操作中编程和读取，在基于块的操作中擦除。数据被逐页地传送到数据寄存器和高速缓存寄存器，或从NAND闪存阵列传送数据。高速缓存寄存器较接近I/O控制电路，并充当I/O数据的数据缓冲器；数据寄存器较接近存储器阵列，并且充当NAND闪存阵列操作的数据缓冲器。高速缓存寄存器用作缓冲存储器，以启用页面和随机数据读/写和复制回操作。这些设备还使用SPI状态寄存器来报告设备操作状态。

功能特征

1、 4Gb SLC NAND闪存

2、 页面大小

（1） 内部ECC开启（ECC_EN=1，默认值）：

页面大小：2048字节+64字节

（2） 内部ECC关闭（ECC_EN=0）：

页面大小：2048字节+128字节

3、 标准、双、四SPI、DTR

（1） 标准SPI：SCLK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#

（2） -双SPI：SCLK、CS#、SIO0、SIO1、WP#、HOLD#

（3） 四路SPI：SCLK、CS#、SIO0、SIO1、SIO2、SIO3

（4） DTR（双传输速率）读取：SCLK、CS#、SIO0、SIO1、SIO2、SIO3

4、 高速时钟频率

（1） 3.3V:104MHz，用于30pF负载的快速读取

（2） 1.8V:80MHz，用于30pF负载的快速读取

（3） 3.3V：四路I/O数据传输高达416Mbit/s

（4） 1.8V：四路I/O数据传输敢达320Mbit/s

5、 软件/硬件写入保护

（1） 通过软件对所有/部分内存进行写保护

（2） 使用WP#引脚注册保护

6、 单电源电压

（1） 1.8V的全电压范围：1.7V~2.0V

（2） 3.3V的全电压范围：2.7V~3.6V

7、 高级安全功能

（1） 8K字节OTP区域

8、 编程/擦除/读取速度

（1） 页面程序时间：典型300us

（2） 块擦除时间：典型3ms

（3） 页面读取时间：较大60us

9、 低功耗

（1） 30mA较大有功电流

（2） 85℃时较大待机电流为50uA

10、 增强的访问性能

（1） 用于快速随机读取的2Kbyte缓存

（2） 缓存读取和缓存程序

11、 NAND的高级功能

（1） 工厂良好区块0

12、 可靠性

（1） 带ECC的P/E周期：100K

（2） 数据保留期：10年

13、 内部ECC

（1） 4位/528字节