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> 永源微AP120N02D 20V/N沟道增强MOS
永源微AP120N02D 20V/N沟道增强MOS
2024-04-27 16:40
32
1
产品价格:
面议
发货地址:
广东深圳福田区
包装说明:
管装
产品数量:
不限
产品规格:
不限
信息编号:
274918339
公司编号:
18538441
杨雨欣
销售工程师
微信
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不间断电源
电池保护
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描述
AP120N02D采用先进的沟槽技术,提供出色的
RDS(ON)、低栅较电荷以及低至2.5V的栅较电压。该装
置适合用作电池保护
或在其他切换应用程序中。
一般特征
Vps=20V ID=120A
RDs(ON)<3.0mΩ@Vgs=4.5V(Type: 2.1mΩ)
应用
电池保护
负载开关
不间断电源供应
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