光刻机ASML CYMER光电模块组件维修114122

1：436nm g-line

可以满足0.8-0.35 微米制程芯片的生产，对应设备有接触式和接近式光刻机。

2：365nm i-line

同样可以满足0.8~0.35微米制程芯片的生产。设备于上相同。

早期的光刻机采用接触式光刻，即掩模贴在硅片上进行光刻，产生污染，且掩模寿命较短。此后的接近式光刻机对接触式光刻机进行了改良， 通过气垫在掩模和硅片间产生细小空隙，掩模与硅片不再直接接触，但受气垫影响，成像的精度不高。

3：248nm KrF

工艺节点提升至350~180nm水平，在光刻工艺上也采用了扫描投影式光刻，即现在光刻机通用的，光源通过掩模， 经光学镜头调整和补偿后， 以扫描的方式在硅片上实现。

4：193nm ArF

制程提升至65nm的水平。四代光刻机是目前使用广的光刻机，也是具有代表性的一代光刻机。