西门康SKKT106/14E可控硅库存价优

SKKT162/14E德国可控硅。SKKT162/14E　齐纳击穿 　　反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。
在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，
使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。
如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。 　　雪崩击穿 　　
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，
从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。
新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，
这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结*性损坏。
编辑本段应用
SKKT71/12E
SKKT71/16E 
SKKT72/08E
SKKT72/12E 
SKKT72/14E
SKKT72/16E 
SKKT72/18E
SKKT91/12E 
SKKT91/16E 
SKKT92/08E 
SKKT92/12E
SKKT92/14E 
SKKT92/16E
SKKT92/18E
SKKT105/12E
SKKT105/16E 
SKKT106/08E
SKKT106/12E 
SKKT106/14E
SKKT106/16E 
SKKT106/18E
SKKT122/08E 
SKKT122/12E
SKKT122/14E 
SKKT122/16E
SKKT122/18E 
SKKT131/12E
SKKT131/16E 
SKKT132/08E
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SKKT132/14E
SKKT132/16E 
SKKT132/18E
SKKT161/12E 
SKKT161/16E
SKKT162/08E 
SKKT162/12E.
SKKT162/14E 
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