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氧化铝
化学符号：Al2O3
外   观:白色
分 子 量：101.96
密    度：4g/cm3
熔    点：2045℃
沸    点：2980℃
蒸发温度：1800℃
蒸发方式：电子束
透明范围/nm：200-7000
折射率n（波长/nm）：1.59(600)/1.56(1600)
            基片温度为300℃时，λ=600nm,n=1.62；λ=1.6μm,n=1.59；
            基片温度为40℃时， λ=600nm,n=1.59；λ=1.6μm,n=1.56；
蒸发源材料:W 、Mo
溶 解 于：纯酸、碱
薄膜的机械和化学性质：形成光滑的硬膜
性    能：高纯氧化铝具有耐腐蚀、耐高温、高硬度、高强度、抗磨损、抗氧化、绝缘性好和表面积大等特点；不溶于水，微溶于强酸和强碱溶液，并能被氟酸和浸蚀；
高纯**细氧化铝的优点：纯度高、粒径小、密度大、高温强度大、耐蚀性和易烧结；
应    用：增透膜，多层膜，防反膜，眼镜膜，保护膜
用    途：广泛应用于生物陶瓷、精细陶瓷、化工催化剂、稀土三基色荧光粉、集成电路芯片、航空光源器件、湿敏性传感器及红外吸收材料；
Al2O3膜的主要性能：
密    度/g?cm-3:3.1-4.0
电 阻 率/Ω?cm：1012-1013
折 射 率：1.72-1.76
禁带宽度eV：7
介电常数：7.5-9.6
产生龟裂厚度/μm:0.4
介电强度/V?cm-1:1×106-7×106
表面负电荷密度：3×1011-1012
红外吸收峰/μm:14-16
Al2O3-Si界面密度/（cm2?eV）-1: 1010-1011
Al2O3*:
Mn Cr Pb Ni V Nb
0.003 0.001 0.001 0.001 0.001 0.0001
Co Ta
0.001 0.001