襄阳可控硅厂家直销大功率高压可控硅质量保证

高压可控硅又称晶闸管，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件。可控硅可以工作在高电压、大电流、较高的频率下，用于大功率直流开关、电脉冲加工电源、激光电源和雷达调制器等电路中，具有耐压高、容量大、体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点，是比较常用的半导体器件之一，被广泛用于自动控制控制，机电领域，工业电气及家电等方面。目前分为：单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管等等。
高压可控硅产品特点: 1、全扩散工艺 2、分布式扩展放大门较结构 3、开关损耗低 4、优良的动态特性 5、优良的高频性能，适用频率2.5KHz-10kHz 6、平板型陶瓷管壳封装 7、双面冷却
高压可控硅典型应用: 1、逆变器 2、电焊机 3、斩波器 4、感应器 5、各种类型的强迫换流器
高压可控硅冷却及环境条件: 
1、强迫风冷：风速≥6m/s，风温≤40℃；
2、水冷：流量≥4L/mm，压强0.2±0.03Mpa。水温≤35℃. 水电阻率≥20KΩ.cm，HP值6—8；
3、自冷和负冷环境温度—40℃—40℃.水冷以环境温度5℃—40℃；
4、空气相对湿度≤85%；
5、空气中无腐蚀性气体和破坏绝缘的尘埃；
6、气压86—106Kpa；
7、无剧烈震动或冲击；
8、若有特殊场合，应进行相应的试验，证明工作可靠方可使用。
高压可控硅注意事项: 1、注明您需要的产品的型号、结构（螺栓、凹台、凸台）、配置散热器型号。
2、注明您较关注的参数要求。
3、选择电流电压时要留有适当的余量；
4、线路中须有过压过流保护措施，串并联使用时必须有均流措施。
5、用万用表简单判断器件是否损坏： 门阴极间电阻，应有十几或几十Ω，否则门较已短路或开路。阴阳极间电阻，应大于1MΩ，（整流管正向除外），电阻小于1MΩ表明器件较间绝缘性能不良，电阻近零时表明器件已击穿。
高压可控硅经我公司鉴定，确定质量问题的产品，保退保换。退换时须携带原产品合格证。
说明:
1、IGTVGTIH为25°C测试值，除非另作说明，参数表中其它参数皆为在Tjm下的测试值。
2、I2t=I2TSM×tw/2;tw=正弦半波电流底宽。在50Hz下，I2t=0.005I2TSM(A2s)
3、当使用在电流为60HZ情况下：ITSM(8.3ms)=ITSM(10ms)×1.066,Tj=Tjm  I2t(8.3ms)=I2t(10ms)×0.943,Tj=Tjm
4、VTO:门槛电压，rT斜率电阻
5、门较引线:白色或无色；阴极引线（需要时）:红色
6、fm为较高工作频率，订货时请注明工作频率fm; 2.di/dt是单脉冲值
襄阳硅海电子有限责任公司主要生产大功率晶闸管（KK系列、KP系列、KS系列等，直径范围:0.5-5英寸，电流范围200A-4000A，电压范围400V-7200V）；大功率半导体模块（MTC系列、MFC系列、MDS系列、MTG系列等，电流范围:26A-1500A，电压范围:400V-4500V）；功率半导体组件；电力半导体用散热器等。全国热线：400-090-0008  0710-3751391   公司官网/
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