产品规格：	TO-220	产品数量：	100000000.00 个
包装说明：	TO-220	价格说明：	不限
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公司编号：	13685818	更新时间：	2022-05-31 10:07:32

深圳市振邦微科技有限公司

2N60参数-代换


2N60功率MOS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术。这种先进工艺使器件具有优良的特性，如较快 的开关速度，较低栅电荷，较小化的导通电阻以及较强的雪崩击穿特性。这种器件非常适合于高效开关电源，DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。 

   高压MOSFET 2N60特征 
                        
· 2A，600V， RDS(on)=3.8Ω@Vgs=10V；                                                      
 · 较低栅电荷，典型9nC； 
·较低反向转换电容；典型5pF 
· 快速开关能力；            
· 增强的dV/di能力；  
· **雪崩击穿测试；                                         
· 封装型式：TO-220，TO-220F，TO-251，TO-252  
· 较大结温 150 ℃ 



高压MOSFET 2N60

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主要经营220v转12v转5v,FM无线发射模块。
单位注册资金未知。

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