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抛光(化学机械抛光，Chemical Mechanical Polishing)　生产过程中较重要的工艺是抛光晶圆片，此工艺在**净间中进行。**净间从一到一万分级，这些级数对应于每立方米空间中的颗粒数。

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刻蚀和清洗研磨后，徐州硅片回收，进入刻蚀和清洗工艺，使用氢氧化钠、乙酸和硝酸的混合物以减轻磨片过程中产生的损伤和裂纹。关键的倒角工艺是要将晶圆片的边缘磨圆，彻底消除将来电路制作过程中破损的可能性。倒角后，要按照较终用户的要求，经常需要对边缘进行抛光，硅片回收设备，提高整体清洁度以进一步减少破损。

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