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真空镀膜设备磁控溅射的使用范围很广， 可制备成靶材的各种材料均可以此方法制备成薄膜材料，pvd真空镀膜机订做， 包括各种金属、半导体、铁磁材料、绝缘的氧化物、陶瓷、聚合物等物质。在适当的条件下， 可采用共溅方式沉积所需组分的混合物薄膜; 也可以在溅射的放电气氛中加入氧、氮或其它活性气体， 可反应沉积形成靶材物质与气体分子的化合物薄膜;它的优点是对靶材的导电性没有要求。反应溅射既可以是直流反应溅射， 也可以是射频反应溅射。共溅射是使用两个由不同材料制备的阴极靶， 同时进行溅射， 通过调节阴极靶上溅射放电电流， 来改变薄膜的成分。还可以在一个主要的靶材的表面， 固定或粘贴其它材料薄片，pvd真空镀膜机厂家， 实现共溅。

不难看出，离子镀的确是具有很大发展潜力的沉积技术，是真

镀膜技术的重要发展，但是它也有不足之处，例如，用离子镀对

件进行局部镀覆，在目前还有一定困难，对膜厚还不能直接监

；设备费用也较高。

１１２４　束流沉积技术

束流沉积技术主要包括离子束沉积技术与分子束外延技术

现分述如下：

Ａ　离子束沉积技术

就离子束沉积而言，可分为两种：一种是从等离子体中引出离子

束轰击沉积材料靶面，然后将溅射出来的粒子沉积在基片上，pvd真空镀膜机，这称之

为离子束溅射沉积；另一种是直接把沉积原子电离，pvd真空镀膜机报价，然后把离子直接

引向基片上沉积成膜，应用的离子能量通常只有１０～１００ｅＶ，其溅射

和辐射损伤效应均可忽略，这种称为原离子束沉积。

为了解释这种高度离化的过程，已经建立了一种稳态的蒸发

化模型，见图１?７。该模型认为，由于阴极弧斑的能流密度非常

，在阴极的表面上形成微小熔池，这些微小熔池导致阴极靶材的

烈蒸发。热发射和场致发射共同导致电子发射，而且电子被阴

表面的强电场加速，以较高的速度飞离阴极表面，在大约一个均

自由程之后，电子与中性原子碰撞，并使之离化，这个区域称为

化区。在这一区域内，高密度的热等离子体１０１３２５ＭＰａ（１０

ｍ）被形成了。由于电子比重离子轻得多，所以电子飞离离化

的速度要比重离子高得多，这样在离化区就出现正的空间电

云。

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