场效应管原理|云南场效应管|苏州硅能半导体科技

VMOS场效应管：

VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（zui高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。

在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，场效应管原理，通常电流也难流动。但是此时漏较-源较间的电场，实际上是两个过渡层接触漏较与门较下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，常用场效应管，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，云南场效应管，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，场效应管功放，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源较的很短部分，这更使电流不能流通。

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