mos管工作原理、苏州硅能 在线咨询 、上海mos管

场效应管的参数很多，上海mos管，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：

　　1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅较电压UGS=0时的漏源电流。

　　2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅较电压。

　　3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅较电压。

　　4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏较电流ID的控制能力，mos管 做开关，即漏较电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。

VMOS场效应管：

VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（zui高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，mos管 开关作用，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。

3：场效应管电流IDS与栅较UGS之间的关系由跨导Gm 决定，晶体管电流Ic与Ib 之间的关系由放大系数β决定。也就是说，mos管工作原理，场效应管的放大能力用Gm 衡量，晶体管的放大能力用β衡量。

4：场效应管的输入阻抗很大，输入电流较小；晶体管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。

5：一般场效应管功率较小，晶体管功率较大。

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