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电压比与残压UR
电压比指压敏电阻器的电流为1mA时产生的电压值与压敏电阻器的电流为0.1mA时产生的电压值之比。
残压UR是指特定波形的浪涌电流流入压敏电阻器时,它两端电压的峰值。一般来说,流入压敏电阻器的浪涌电流的峰值都在1mA以上,对通用压敏电阻和防雷型压敏电阻而言,所谓特定波形指的是IEC本60060-2: 1973标准规定的8/20 μs标准雷电流波形。
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ZnO压敏电阻陶瓷的性能是压敏陶瓷中较为优异的一种。近年来,由于电子设备向小型化、多功能化发展,集成电路的集成速度和密度不断提高,为了使电子线路免遭浪涌电压的破坏,在低压领域内对压敏电阻器的应用也提出了越来越高的要求,因此ZnO的低压化成为研究的热点。为了寻求一个相对合适的ZnO压敏陶瓷的低压化配方,并且将所学专业理论知识与实际相结合,经文献查阅,我们设计了添加剂的量依次适当增加的四组平行实验来进行研究。本文首先简析了ZnO压敏陶瓷材料的概念、结构、研究现状及压敏电阻的性能参数,并详细解释了其导电机理。同时对制备ZnO压敏陶瓷的基本工艺流程做了初步的了解,通过热分析的实验和老师的指导得出,烧结温度分别为1160℃、1180℃,1200℃三个温度下保温2h的烧结条件。
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