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因此 B 和 C 的添加为 SiC 的致密化创造了热力学方面的有利条件。然而,日本研究人员却认为 SiC 的致密并不存在热力学方面的限制。还有学者认为, SiC 的致密化机理可能是液相烧结,他们发现:在同时添加 B 和 C 的 β - SiC 烧结体中,有富 B 的液相存在于晶界处。关于无压烧结机理,目前尚无定论。 以 α - SiC 为原料,同时添加 B 和 C ,赣州氧化铝微粉价格,也同样可实现 SiC 的致密烧结。 研究表明:单独使用 B 和 C 作添加剂,无助于 SiC 陶瓷充分致密。只有同时添加 B 和 C 时,赣州氧化铝微粉,才能实现 SiC 陶瓷的高密度化。
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碳化硅单晶体可以制作晶体管(二极管和三极管)。因为碳化硅的禁带宽度大,故做成的器件能耐高压和高温,是一种很好的大功率器件的材料。缺点是其单晶的制造比较困难,器件工艺也不成熟,而且在器件中的欧姆接触难以做好(因为是宽禁带半导体,重掺杂难以起作用)。碳化硅的硬度很大(仅次于金刚石),可用作为磨料。
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