sram低功耗S6R1616C1M

存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和较终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器*的位置存入和取出信息。
构成存储器的存储介质，目前主要采用半导体器件和磁性材料。
半导体器件和磁性材料是构成存储器的存储介质，一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材料的存储元是存储器中较小的存储单位，可存储一个二进制代码。由若干个存储元组成一个存储单元，然后再由许多存储单元组成一个存储器。 一个存储器包含许多存储单元，每个存储单元可存放一个字节。每个存储单元的位置都有一个编号，即地址，一般用十六进制表示。一个存储器中所有存储单元可存放数据的总和称为它的存储容量。假设一个存储器的地址码由20位二进制数（即5位十六进制数）组成，则可表示220，即1M个存储单元地址。每个存储单元存放一个字节，则该存储器的存储容量为1KB。

Density	Org.	Part number	Vdd(V)	Access Time	Package
32Mb	4Mx8	S6R3208W1M	1.65~3.6	8/10/12/15ns	48FBGA
32Mb	2Mx16	S6R3216W1M	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	48FBGA
16Mb	2Mx8	S6R1608W1M	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 48FBGA
16Mb	2Mx8	S6R1608V1M	3.3V	8/10ns	44TSOP2 48FBGA
16Mb	2Mx8	S6R1608C1M	5V	10ns	44TSOP2 48FBGA
16Mb	1Mx16	S6R1616W1M	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	48TSOP1 48FBGA
16Mb	1Mx16	S6R1616V1M	3.3V	8/10ns	48TSOP1 48FBGA
16Mb	1Mx16	S6R1616C1M	5V	10ns	48TSOP1 48FBGA
8Mb	1Mx8	S6R8008W1A	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 48FBGA
8Mb	1Mx8	S6R8008C1A	5V	10ns	44TSOP2 48FBGA
8Mb	512Kx16	S6R8016W1A	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 48FBGA
8Mb	512Kx16	S6R8016C1A	5V	10ns	44TSOP2 48FBGA
4Mb	512Kx8	S6R4008W1A	1.65~3.6	8/10/12/15ns	44TSOP2 36FBGA
4Mb	512Kx8	S6R4008V1A	3.3V	8/10ns	44TSOP2 36FBGA
4Mb	512Kx8	S6R4008C1A	5V	10ns	44TSOP2 36FBGA
4Mb	256Kx16	S6R4016W1A	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 48FBGA
4Mb	256Kx16	S6R4016V1A	3.3V	8/10ns	44TSOP2 48FBGA
4Mb	256Kx16	S6R4016C1A	5V	10ns	44TSOP2 48FBGA
2Mb	256Kx8	S6R2008W1A	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 36FBGA
2Mb	256Kx8	S6R2008V1A	3.3V	8/10ns	44TSOP2 36FBGA
2Mb	256Kx8	S6R2008C1A	5V	10ns	44TSOP2 36FBGA
2Mb	128Kx16	S6R2016W1A	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 48FBGA
2Mb	128Kx16	S6R2016V1A	3.3V	8/10ns	44TSOP2 48FBGA
2Mb	128Kx16	S6R2016C1A	5V	10ns	44TSOP2 48FBGA
1Mb	128Kx8	S6R1008W1A	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	32sTSOP1 36FBGA
1Mb	128Kx8	S6R1008C1A	5V	10ns	32sTSOP1 36FBGA
1Mb	64Kx16	S6R1016C1A	5V	10ns	44TSOP2 48FBGA
1Mb	64Kx16	S6R1016W1A	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 48FBGA
1Mb	64Kx16	S6R1016V1A	3.3V	8/10ns	44TSOP2 48FBGA
1Mb	128Kx8	S6R1008V1A	3.3V	8/10ns	32sTSOP1 36FBGA