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如图所示,ASEMI肖特基二极管解剖图放大后的芯片附近,在基片下边形成N+阴极层,其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数,N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒,肖特基二极管,如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极,N型基片接电源负极)时,肖特基势垒层变窄,其内阻变小;反之,若在肖特基势垒两端加上反向偏压时,肖特基势垒层则变宽,其内阻变大。
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ASEMI整流肖特基二极管快资讯!
SiC高压SBD
由于Si和GaAs的势垒高度和临界电场比宽带半导体材料低,用其制作的SBD击穿电压较低,反向漏电流较大。碳化硅(SiC)材料的禁带宽度大(2.2eV~3.2eV),肖特基二极管常见型号,临界击穿电场高(2V/cm~4×106V/cm),肖特基二极管型号大全,饱合速度快(2×107cm/s),热导率高为4.9W/(cm·K),抗化学腐蚀性强,肖特基二极管的作用,硬度大,材料制备和制作工艺也比较成熟,是制作高耐压、低正向压降和高开关速度SBD的比较理想的新型材料。