肖特基二极管|ASEMI

编辑人：MM

摘要 : 导读：在ASEMI半导体满足你对晶圆的好奇心，全部术语就在这里（上），ASEMI半导体为大家介绍了将近50个晶圆的专业术语，一时间介绍太多怕大家接受不了，但是有好东西ASEMI半导体还是

导读：在ASEMI半导体满足你对晶圆较的好奇心，全部术语就在这里（上），ASEMI半导体为大家介绍了将近50个晶圆的专业术语，一时间介绍太多怕大家接受不了，但是有好东西ASEMI半导体还是毫不吝啬跟大家分享的，这不，又来啦~

凹槽 - 没有被完全清除的擦伤；手工印记 - 为区分不同的晶圆片而手工在背面做出的标记；雾度 - 晶圆片表面大量的缺陷，常常表现为晶圆片表面呈雾状；空穴 - 和正电荷类似，是由缺少价电子引起的；晶锭 - 由多晶或单晶形成的圆柱体，晶圆片由此切割而成；激光散射 - 由晶圆片表面缺陷引起的脉冲信号；光刻 - 从掩膜到圆片转移的过程；局部光散射 - 晶圆片表面特征，例如小坑或擦伤导致光线散射，肖特基二极管，也称为光点缺陷。

批次 - 具有相似尺寸和特性的晶圆片一并放置在一个载片器内；多数载流子 - 一种载流子，在半导体材料中起支配作用的空穴或电子；机械测试晶圆片 - 用于测试的晶圆片；微粗糙 - 小于100微米的表面粗糙部分；索指数 - 三个整数，用于确定某个并行面。这些整数是来自相同系统的基本向量；小条件或方向 - 确定晶圆片是否合格的允许条件；堆垛 - 晶圆片表面**过0.25毫米的缺陷；桔皮 - 可以用肉眼看到的粗糙表；颗粒 - 晶圆片上的细小物质；颗粒计算 - 用来测试晶圆片颗粒污染的测试工具；颗粒污染 - 晶圆片表面的颗粒。

深坑 - 一种晶圆片表面无法消除的缺陷；点缺陷 - 不纯净的晶缺陷；测试晶圆片 - 影印过程中用于颗粒计算、测量溶解度和检测金属污染的晶圆片；主定位边 - 晶圆片上较长的定位边；加工测试晶圆片 - 用于区域清洁过程中的晶圆片；糙度 - 晶圆片表面间隙很小的纹理；*二定位边 - 比主定位边小的定位边，它的位置决定了晶圆片的类型和晶向；局部表面 - 晶圆片前面上平行或垂直于主定位边方向的区域；表面纹理 - 晶圆片实际面与参考面的差异情况；测试晶圆片 - 用于生产中监测和测试的晶圆片；**部硅膜厚度 - **部硅层表面和氧化层表面间的距离；**部硅膜 - 生产半导体电路的硅层，位于绝缘层**部；总计指示剂数(TIR) - 晶圆片表面位面间的较短距离。

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摘要 : ASEMI快恢复与普通整流二极管的区别在哪？ 普通整流二极管(如1N系列)的工作频率较低，肖特基二极管的用途，在3kHz以下，当工作于较高频率时，其正反向电压变化的时间慢于恢复时间，以胆机制造为例，因

ASEMI快恢复与普通整流二极管的区别在哪？

      普通整流二极管(如1N系列)的工作频率较低，在3kHz以下，贴片二极管型号参数表，当工作于较高频率时，其正反向电压变化的时间慢于恢复时间，以胆机制造为例，因为其声音的频率范围是20Hz～20kHz，所以有许多工程师认为低频二极管整流，对胆机的音色发挥有不利的影响，采用快恢复二极管整流是一个不错的选择。

ASEMI**快恢复二极管选项必须了解的两大重要参数

   ASEMI品牌**快恢复二极管参数两个方面：开关性能行业标准，被众多电源电器厂商认可，而反向恢复时间短，尤其ASEMI工厂生产的快恢复，反向恢复时间仅为35ns，尤为**这一点特别适合高频率整流。

   ASEMI工程师专业解释反向恢复时间定义：从电物理现象来解释，导通状态向截止状态转变时，二极管在阻断反向电流之前需要首先释放上个周期存储的电荷，这个放电时间被称为反向恢复时间，反向恢复时间实际上是由电荷存储效应引起的．反向恢复时间就是存储电荷耗尽所需要的时间。  

   ASEMI品牌快恢复二极管的种类繁多，在胆机整流中可根据电路的需要选择，由于晶体管和电子管不同，过载能力低，选择时要考虑留出较大的电流、电压富裕量，肖特基二极管，提高可靠性，而ASEMI工厂12年专业快恢复生产厂家，供应全系列快恢复产品，整流电流由5A-30A，反向耐压200V-600V，采用中国台湾进口冠魁生产设备，中国台湾健鼎一体化测试保证产品合格率100％，

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