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【技术实现步骤摘要】

一种高效多晶铸锭炉热场结构

本技术属于太阳能光伏元件加工设备领域，涉及一种定向凝固法生产多晶硅锭用的铸锭炉热场结构，特别是一种高效多晶铸锭炉热场结构。

技术介绍

目前光伏行业发展迅速，并且市场竞争激励，降低电池效率和生产成本成为重中之重，闻效多晶娃旋(小晶粒尺寸)成为目如发展趋势，不断提升闻效多晶娃旋质量和节能降耗是下一步降低成本的重要途径。 多晶铸锭目前以籽晶法较为普遍，多晶小方锭厂家，铸锭过程中首先将选好的籽晶铺到坩埚底部，再将多晶硅原料放入石英坩埚底部，然后用包括加热、熔化、长晶、退火和冷却等步骤的定向凝固法生广闻效多晶娃旋。 现有多晶炉设有一块定向凝固块和四周梯形板，这样的结构铸锭热场温度分布不适合，导致多晶硅碇在长晶过程中固液界面凸凹明显，分布不合理，不利于长晶过程中的杂质排杂，对晶体的整体质量有较大的影响。

类型应用

单晶硅的制作

硅单晶按拉制方法不同分为无坩埚区熔(FZ)单晶与有坩埚直拉(CZ)单晶。区熔单晶不受坩埚污染，新余多晶小方锭，纯度较高，适于生产电阻率**20欧·厘米的N型硅单晶（包括中子嬗变掺杂单晶）和高阻 P型硅单晶。由于含氧量低，区熔单晶机械强度较差。

大量区熔单晶用于制造高压整流器、晶体闸流管、高压晶体管等器件。直接法易于获得大直径单晶，多晶小方锭报价，但纯度低于区熔单晶，适于生产20欧·厘米以下的硅单晶。由于含氧量高，直拉单晶机械强度较好。大量直拉单晶用于制造MOS集成电路、大功率晶体管等器件。外延片衬底单晶也用直拉法生产。硅单晶商品多制成抛光片，但对FZ单晶片与CZ单晶片须加以区别。外延片是在硅单晶片衬底（或尖晶石、蓝宝石等绝缘衬底）上外延生长硅单晶薄层而制成，大量用于制造双较型集成电路、高频晶体管、小功率晶体管等器件。

1956年研究成功氢还原三氯i氢硅法。对硅中微量杂质又经过一段时间的探索后，氢还原三氯i氢硅法成为一种主要的方法。到1960年，多晶小方锭优质商家，用这种方法进行工业生产已具规模。硅整流器与硅闸流管的问世促使硅材料的生产一跃而居半导体材料的**。60年代硅外延生长单晶技术和硅平面工艺的出现，不但使硅晶体管制造技术趋于成熟，而且促使集成电路迅速发展。80年代初全世界多晶硅产量已达2500吨。硅还是有前途的太阳电池材料之一。用多晶硅制造太阳电池的技术已经成熟；无定形非晶硅膜的研究进展迅速；非晶硅太阳电池开始进入市场。

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