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化学成分

硅是元素半导体。电活性杂质磷和硼在合格半导体和多晶硅中应分别低于0.4ppb和0.1ppb。拉制单晶时要掺入一定量的电活性杂质，以获得所要求的导电类型和电阻率。重金属铜、金、铁等和非金属碳都是较有害的杂质，它们的存在会使PN结性能变坏。硅中碳含量较高，低于1ppm者可认为是低碳单晶。碳含量**过3ppm时其有害作用已较显著。硅中氧含量甚高。氧的存在有益也有害。直拉硅单晶氧含量在5～40ppm范围内；区熔硅单晶氧含量可低于1ppm。

制程差异

在制程方面，多晶硅锭铸造规格，单晶比多晶更环保、成本更低。电池的制程工艺包括制绒、扩散、刻蚀、镀膜、印刷、烧结等，单晶电池和多晶电池的制备工艺主要差别在制绒环节，其余环节仅仅是控制标准的差异。

单晶制绒采用碱溶液腐蚀，腐蚀过程中产生硅酸盐和氢气副产物，湖州多晶硅锭铸造，通过应用制绒辅助液代替或部分代替异i丙i醇(IPA)，可实现更低的BOD、COD污水排放，且单晶制绒体系对于设备硬件的要求很低，更容易实现环保和工艺控制。

多晶采用酸溶液腐蚀，需要使用高浓度的硝i酸和氢i氟酸，主要副产物为氟硅i酸和NOx，多晶硅锭铸造优质商家，而Nox是一种很难彻底处理的大气污染物，多晶硅锭铸造厂家，考虑到这些因素，需要使用严格封闭的自动化设备。多晶制绒的设备购置和维护成本远**单晶。

6、硅可以提高植物茎秆的硬度，增加害虫取食和消化的难度。尽管硅元素在植物生长发育中不是必需元素，但它也是植物抵御逆境、调节植物与其他生物之间相互关系所必需的化学元素。

硅在提高植物对非生物和生物逆境抗性中的作用很大，如硅可以提高植物对干旱、盐胁迫、紫外辐射以及病虫害等的抗性。硅可以提高水稻对稻纵卷叶螟的抗性，施用硅后水稻对害虫取食的防御反应迅速提高，硅对植物防御起到警备作用。

水稻在受到虫害袭i击时，硅可以警备水稻迅速激i活与抗逆性相关的茉莉酸途径，茉莉酸信号反过来促进硅的吸收，硅与茉莉酸信号途径相互作用影响着水稻对害虫的抗性。

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